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ope网站:DDR5渗透率快速提升 长电科技有备而来

来源:本站添加时间:2022-12-01 07:44:02 点击:2

  ope网站:DDR5渗透率快速提升 长电科技有备而来近日,长电科技600584)宣布,高性能动态随机存储DDR5芯片成品实现稳定量产,公司将依托自身的技术与服务优势为国内外客户提供高性价比和高可靠性的解决方案。

  随着5G高速网络、云端服务器、智能汽车等领域对存储系统性能的要求不断提升,DDR5芯片在服务器、数据中心等领域加速渗透。相比前代产品,DDR5因其速度更快、能耗更低、带宽更高、容量更大等优势,给用户带来更佳的可靠性和扩展性,市场前景广阔。

  反映到芯片成品制造环节,包括DDR5在内的存储芯片效能不断提升,对芯片封装提出更高集成度、更好电气性能、更低时延,以及更短互连等要求。

  为此,长电科技通过各种先进的2.5D/3D封装技术,实现同尺寸器件中的高存储密度性能,满足市场的需求。芯片2.5D/3D封装是在三维方向上将多个芯片堆叠起来,实现芯片间的低功耗、高速通讯,增加带宽和器件集成的小型化,使芯片产品在拥有高存储密度的同时降低其封装成本。

  同时,长电科技在圆片磨划、封装工艺、洁净度控制等环节拥有一整套成熟的技术和先进的设备支持,多芯片堆叠技术管控能力达到业内领先水平;在测试环节拥有先进的测试系统和能力,可向客户提供全套测试平台和工程服务。

  目前,长电科技的工艺能力可以实现16层芯片的堆叠,单层芯片厚度为35um,封装厚度为1mm左右。作为全球领先的半导体微系统集成和芯片成品制造服务提供商,长电科技在存储芯片领域已积累近20年的成品制造和量产经验,与国内外存储类产品厂商之间形成广泛的合作,包括DDR在内各类存储产品已实现量产,稳定的制程能力和产品品质赢得了国内外客户的一致好评。

  长电科技表示,随着PC端、服务器端、以及消费端等领域对存储系统性能的要求不断提升,市场对DDR5的需求有望加速释放,为集成电路封测带来新机遇。依托一流的工艺能力、品质管控能力和成熟的供应链体系,长电科技可为客户确保高成品率的同时缩短产品交期,帮助客户以更低的成本实现更优的解决方案。未来,长电科技将保持对领先技术的不懈追求,不断加强与客户协同合作实现与客户的共同成长。

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